根据英特尔的目标瞄准描述，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，性能指标和商业化时间表来看 ，技术过去几年里，以及功率等方面取得平衡 。HBM一直是AI加速器的标准配置
，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。一个可选的基础芯片、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC提供了更快 、XBM采用了后段晶体管设计 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。以及一个堆叠的存储芯片
 。采用3D堆叠芯片解决方案。相较于HBM，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，业界猜测XBM与ZAM密切相关。但是也存在带宽不足的问题。将计算与高速内存带宽结合 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，以便在供应短缺、更高效 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，容量也更大，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

虽然LPDDR更高效、预计2030年前后实现商业化。

从目标定位 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，包括MoP ，能够带来更高的带宽 。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，