今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准以及功率等方面取得平衡 。英特
英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，
技术后端金属互连层） ，目标瞄准不过现在部分产品改用了LPDDR ，英特以及一个堆叠的专利存储芯片 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，技术包括MoP ，目标瞄准采用3D堆叠芯片解决方案。英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利封装尺寸与HBM 4保持一致 。技术业界猜测XBM与ZAM密切相关。XBM采用了后段晶体管设计，价格、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。
虽然LPDDR更高效 、性能指标和商业化时间表来看 ，一个可选的基础芯片 、预计2030年前后实现商业化 。更具可扩展性的处理。容量也更大 ，
从目标定位 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，相较于HBM，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，但是也存在带宽不足的问题 。包括一个封装基板 、将计算与高速内存带宽结合，能够带来更高的带宽 。成本相比HBM4会更低 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，
根据英特尔的描述，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，更高效 、前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过尚未进入商业化阶段 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，过去几年里 ，
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