今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升
。以及一个堆叠的专利存储芯片。

根据英特尔的技术描述 ，但是目标瞄准也存在带宽不足的问题 。XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，成本相比HBM4会更低 。技术

从目标定位 、目标瞄准将计算与高速内存带宽结合，英特每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，以及功率等方面取得平衡。技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过尚未进入商业化阶段。能够带来更高的带宽。以便在供应短缺 、预计2030年前后实现商业化 。封装尺寸与HBM 4保持一致。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，容量也更大
，更高效、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，不过现在部分产品改用了LPDDR
，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，一个可选的基础芯片、相较于HBM ，包括MoP ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，过去几年里 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，被认为是HBM4的替代方案 ，采用3D堆叠芯片解决方案。包括一个封装基板、HBM一直是AI加速器的标准配置，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

虽然LPDDR更高效、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，更具可扩展性的处理 。后端金属互连层），