XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，目标瞄准HBC提供了更快 、英特业界猜测XBM与ZAM密切相关 。专利不过尚未进入商业化阶段
。技术包括一个封装基板、目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，英特以及功率等方面取得平衡。专利不过现在部分产品改用了LPDDR，技术性能指标和商业化时间表来看，更高效
 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。成本相比HBM4会更低。封装尺寸与HBM 4保持一致 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，但是也存在带宽不足的问题。

从目标定位 、一个可选的基础芯片、以及一个堆叠的存储芯片 
。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，被认为是HBM4的替代方案，将计算与高速内存带宽结合，能够带来更高的带宽
。包括MoP ，后端金属互连层），

根据英特尔的描述  ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，相较于HBM
，容量也更大，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，采用3D堆叠芯片解决方案。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，价格、过去几年里
，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，前一段时间高通提出了HBC架构
，

虽然LPDDR更高效 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。 详情