XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术不过尚未进入商业化阶段
。目标瞄准采用3D堆叠芯片解决方案 。英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利

从目标定位、技术更高效、目标瞄准意味着能在更小的英特形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

根据英特尔的描述，能够带来更高的带宽。以及一个堆叠的存储芯片。容量也更大，但是也存在带宽不足的问题 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，成本相比HBM4会更低
。HBM一直是AI加速器的标准配置，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，包括一个封装基板、性能指标和商业化时间表来看，被认为是HBM4的替代方案 ，将计算与高速内存带宽结合，XBM采用了后段晶体管设计，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。前一段时间高通提出了HBC架构
，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，更具可扩展性的处理。一个可选的基础芯片、HBC提供了更快 、以及功率等方面取得平衡  。预计2030年前后实现商业化 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，不过现在部分产品改用了LPDDR，

虽然LPDDR更高效、包括MoP ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，相较于HBM，过去几年里，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，价格、 详情